옴성 접촉

집적 회로에서 반도체 소자들은 금속을 통해서 서로 연결
옴성 접촉(ohmic contact) : 반도체와 금속 접촉은 충분히 낮은 저항을 가져서 소자의 성능을 저하시키지 않아야 하는데, 이 목적을 달성하기 위해서는 주의 깊은 기술이 요구됨. 이 낮은 저항 접촉이 옴성 접촉.
[그림]은 옴성 접촉의 단면. 고농도로 도핑된 반도체 확산 영역의 표면층이 TiSi2 혹은 NiSi2 같은 실리사이드로 변환되고 유전체(보통 SiO2) 필름이 증착됨. 리소그래피와 플라즈마 식각을 사용하여 유전물을 뚫고 실리사이드에 도달하는 콘택트 홀을 만듦. 티타늄 나이트라이드(TiN)의 얇은 도전층을 증착함으로써 실리사이드와 텅스텐 사이에서 반응이 일어나거나 상호 확산되는 것을 방지.

접촉 구조 . 금속 실리사이드 필름이 유전체 층 증착과 콘택트 홀 식각을 하기 전에 형성된다 .

콘택트 홀(contact hole)을 채우기 위해 CVD에 의해 텅스텐을 증착
[그림 ]은 W 플러그의 꼭대기에 다음 두 층이 있음을 보여줌
：상호 연결 금속 재료로 또 다른 TiN 층과 AlCu 층.
모든 우수한 옴성 접촉이 갖는 중요한 특징은 반도체가 매우 높게 도핑되었다는 것
고농도로 도핑된 Si의 공핍층 두께는 높은 도펀트 농도 때문에 단지 수십Å 정도로 매우 얇음
전위 장벽이 매우 얇을 때는, 전자들은 보는 것과 같이 큰 터널링 확률을 갖게 되어 터널링에 의해 장벽을 관통할 수 있음.